- !_home_!
- Félvezetők
- Tranzisztorok
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120TAM31CT3AG
MSCSM120TAM31CT3AG
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
!_prilohy_!:
Kattintson a képre
| ID Code: | 186279 |
| Gyártó: | Microchip Technology |
| Ár ÁFÁ-val : | 518,7788 € |
| Ár ÁFA nélkül : | 428,7428 € |
| VAT: | 21 % |
| Elérhetőség: | kérésre |
| Teljes készlet: | 0 db |
| Jelölés a gyártó: | MSCSM120TAM31CT3AG |
| Központi raktár Zdice: | 0 db |
| Külső tároló (szállítási idő 5÷10 nap): | 0 db |
| Egység:: | db |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Mennyiség | Ár ÁFA nélkül | Ár ÁFÁ-val | |
| 1 + | 428,7428 € | 518,7788 € | ||
| 5 + | 410,8780 € | 497,1624 € | ||
| 10 + | 393,0136 € | 475,5465 € | ||
| 25 + | 375,1496 € | 453,9311 € |
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
The MSCSM120TAM31CT3AG device is designed for the following applications: • Uninterruptible Power Supplies • Switched Mode Power Supplies • EV motor and traction drive • Welding converters
• SiC Power MOSFET , High speed switching, Low RDS(on), Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, Zero reverse recovery, Zero forward recovery, Temperature Independent switching behavior, Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance • Kelvin source for easy drive • Internal thermistor for temperature monitoring • Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
The MSCSM120TAM31CT3AG device is designed for the following applications: • Uninterruptible Power Supplies • Switched Mode Power Supplies • EV motor and traction drive • Welding converters
• SiC Power MOSFET , High speed switching, Low RDS(on), Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, Zero reverse recovery, Zero forward recovery, Temperature Independent switching behavior, Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance • Kelvin source for easy drive • Internal thermistor for temperature monitoring • Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
Alapinformációk:
| Jelölés a gyártó | MSCSM120TAM31CT3AG |
| Type of casing: | MODUL |
| Eset: | !_modul-sp3f_! |
| Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
| Az összetevő típusa: | !_sic mosfet+sic schottky diode_! |
| Konfiguráció: | !_full bridge 3f_! |
| Szerkezet: | !_6*fet+6*d_! |
| Anyag típusa: | !_sic full_! |
| Material Base | Cu+AlN |
| RoHS | Igen |
| REACH | Nem |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Csomagolás és tömeg:
| Egység: | db |
| Súly: | 110 [g] |
| Csomagolás típusa: | BOX |
| Kis csomag (egységek száma): | 3 |
Elektrofizikai paraméterek:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 89 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 89 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 71 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 395 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 31 [mΩ] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 232 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 3020 pF |
Termikus és mechanikai paraméterek:
| Tmin (legkisebb üzemi hőmérséklet) | -40 [°C] |
| Tmax (legnagyobb üzemi hőmérséklet) | 125 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.075 [°C/W] |
| Rthjc1 IGBT | 0.38 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.9 [°C/W] |
| PIN méretek | 0.00 [mm] |
Alternatívák és csere
| Alternatív 1: | 183781 - CCS050M12CM2 (CRE) |
| Alternatív termékek 1: | CCB032M12FM3 |