MOSFET 1200V Full SiC without SiC diodes Phase Leg SiC
The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. Temperature-independent switching behavior
. Kelvin Emitor for easy drive
. High level of integration
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
Benefits: High efficiency converter, Stable temperature behavior, Direct mounting to heatsink (isolated package), Low junction to case thermal resistance, RoHS Compliant
Application: Welding converters, Switched Mode Power Supplies, Uninterruptible Power Supplies, EV motor and traction drive
Alapinformációk:
Jelölés a gyártó | MSCSM120AM036D3AG |
Type of casing: | MODUL |
Eset: | SEMITRANS-3 |
Kategorie | Full SiC (MOS) |
Az összetevő típusa: | !_n-mosfet_! |
Konfiguráció: | !_half bridge_! |
Anyag típusa: | !_sic full_! |
Material Base | Cu |
RoHS | Igen |
REACH | Igen |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
UL94 | V-0 |
Csomagolás és tömeg:
Egység: | db |
Súly: | 350 [g] |
Csomagolás típusa: | BOX |
Kis csomag (egységek száma): | 6 |
Elektrofizikai paraméterek:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 460 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 460 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 2031 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 3.6 [mΩ] |
tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 67 [ns] |
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.06 [MHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 1392 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 18100 pF |
Termikus és mechanikai paraméterek:
Tmin (legkisebb üzemi hőmérséklet) | -40 [°C] |
Tmax (legnagyobb üzemi hőmérséklet) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.075 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.074 [°C/W] |
PIN méretek | 0.00 [mm] |
Alternatívák és csere
Alternatív 1: | 176372 - CAS300M12BM2 (WO) |
Alternatív 2: | 173619 - SKM500MB120SC (SMK) |
Alternatív termékek 1: | MD400HFR120C2S |
Alternatív termékek 2: | FF3MR12KM1 |
Alternatív termékek 3: | FF2MR12KM1 |