1200V Mosfet SiC, 88A / SOT-227
Alapinformációk:
Jelölés a gyártó | MSC017SMA120J |
Az összetevő típusa: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguráció: | single 1*(T-BD) |
Specifikáció: | !_sic n-channel mosfet_! |
Szerkezet: | 1*FET-BD |
Anyag típusa: | !_sic full_! |
RoHS | Igen |
REACH | Nem |
Type of casing: | MODUL |
Eset: | SOT-227 |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Csomagolás és tömeg:
Egység: | db |
Súly: | 36 [g] |
Csomagolás típusa: | TUBE |
Kis csomag (egységek száma): | 10 |
Elektrofizikai paraméterek:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 88 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 88 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 62 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 278 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 22 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 40 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 249 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 5280 pF |
Termikus és mechanikai paraméterek:
Tmin (legkisebb üzemi hőmérséklet) | -55 [°C] |
Tmax (legnagyobb üzemi hőmérséklet) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.27 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.36 [°C/W] |
RM - Érintkező raszter | 15 [mm] |
RM1 - Sorok térköze | 12.7 [mm] |
Number of Pins | 3 |
D - Külső átmérő | 4.1 [mm] |
W - Szélessége | 25.3 [mm] |
L - Hossza | 38.1 [mm] |
H - Magasság | 12 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | SOT-227 [mm] |
Alternatívák és csere
Alternatív 1: | 183085 - DACMI160N1200 (DAC) |